[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-2] Si雰囲気アニール法によるSiCトレンチ構造形状制御

〇矢吹 紀人¹、鳥見 聡¹、野上 暁¹、金子 忠昭²、北畠 真¹ (1.東洋炭素、2.関学大理工)

キーワード：トレンチ、活性化アニール

プレーナ構造と比較してさらなる低オン抵抗化が可能であるトレンチ構造のSiCデバイス開発が進められている。しかし、トレンチ端の鋭角部分における電界集中による耐圧低下、トレンチ側壁の表面荒れによる電子移動度低下が問題となっている。本報告ではSi雰囲気アニール法を用いたSiCウェハのトレンチ端部形状制御と側壁・底部の表面粗さ改善効果について報告する。