[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-20] Influence of Gate Bias on Gamma-ray Radiation Response of SiC MOSFETs

〇(M1)KOICHI MURATA^1,2, Satoshi Mitomo^1,2, Takuma Matsuda^1,2, Takashi Yokoseki^1,2, Takahiro Makino², Akinori Takeyama², Shinobu Onoda², Shuichi Okubo³, Yuki Tanaka³, Mikio Kandori³, Toru Yoshie³, Takeshi Ohshima², Yasuto Hijikata¹ (1.Saitama Univ., 2.JAEA, 3.Sanken Electric Co., Ltd)

Keywords:Silicon Carbide,MOSFET,Gamma ray

前回までに、SiC MOSFETは正のバイアスをかけた状態でガンマ線照射を行うとデバイス特性の劣化が極端に進むことを報告した。一方，スイッチングバイアスにおいては、劣化が無バイアスの場合より少なかった。この検証のため、今回我々はバイアスを途中で変える実験を行った。その結果、正バイアスによる劣化は無バイアスにより短時間で回復することが確認できた。