[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-20] SiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼすゲートバイアスの影響

〇(M1)村田 航一^1,2、三友 啓^1,2、松田 拓磨^1,2、横関 貴史^1,2、牧野 高紘²、武山 昭憲²、小野田 忍²、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、大島 武²、土方 泰斗¹ (1.埼玉大学、2.原子力機構、3.サンケン電気)

キーワード：炭化珪素、MOSFET、ガンマ線

前回までに、SiC MOSFETは正のバイアスをかけた状態でガンマ線照射を行うとデバイス特性の劣化が極端に進むことを報告した。一方，スイッチングバイアスにおいては、劣化が無バイアスの場合より少なかった。この検証のため、今回我々はバイアスを途中で変える実験を行った。その結果、正バイアスによる劣化は無バイアスにより短時間で回復することが確認できた。