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[21p-P10-23] Degradation Analysis for TO-247 Pack SiC-MOSFETs stored at a High Temperature
Keywords:SiC,MOSFET,high temperature storage
前回[1]、電流定格>30 A、耐圧>1.2 kVのTO-247パック市販SiC-MOSFETの-40℃⇔200℃冷熱サイクル試験の結果について報告した。本報告では、200℃放置試験による劣化過程を調査し、高Tj化させたときに起こる種々の問題を顕在化させたので報告する。