[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-24] 低インダクタンスSiCパワー半導体モジュールの製作と解析

〇鈴木 達広¹、山下 真理¹、森 哲也¹、谷本 智¹、飯塚 祥太²、新妻 裕太²、赤津 観² (1.日産アーク、2.芝浦工業大学)

キーワード：パワーモジュール、高速スイッチング、寄生インダクタンス

SiCやGaN半導体を用いた電力スイッチング素子は、高速スイッチングが可能であり、スイッチング損失を減らせる可能性を持っているが、モジュールに存在する寄生インダクタンスが高速スイッチングの妨げになっている。そこで、本研究ではモジュール構造を工夫して寄生インダクタンスを減らしたので、その構造について実測結果とともに説明する。