[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-5] 界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価

〇村瀬 真悟¹、三島 友義²、中村 徹²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

キーワード：界面顕微光応答法、n-SiC、イオン注入

界面顕微光応答法を用いて、n-SiCにNイオンを注入した際に導入された損傷の2次元評価を行った。イオン注入領域で光電流が増加し注入パターンを可視化することができた。またイオン注入外周部でさらに光電流が増加していることが確認できた。この特徴は同様な実験をn-GaAs,およびn-GaNを用いて行った場合では観察されず、SiCでは注入外周部の損傷の発生、残留が顕著であると考えられる。