13:30 〜 15:30
[21p-P10-6] 4H-SiC上金属多層膜界面の高温安定性
キーワード:SiC、裏面電極、高温安定性
4H-SiC上に積層したTi/Ni/Ag多層膜の高温での安定性をSEM観察によって評価した。150℃以上での放置後、Ni/Agの界面にボイドが見られた。一方、SiC/Ti界面およびTi/Ni界面は250℃で500時間放置しても状態に変化が見られなかった。
一般セッション(ポスター講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)
2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P10 (屋内運動場)
13:30 〜 15:30
キーワード:SiC、裏面電極、高温安定性