2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P10 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[21p-P10-6] 4H-SiC上金属多層膜界面の高温安定性

関 伸弥1、村松 哲郎1、菅原 徹1、長尾 至成1、菅沼 克昭1 (1.阪大産研)

キーワード:SiC、裏面電極、高温安定性

4H-SiC上に積層したTi/Ni/Ag多層膜の高温での安定性をSEM観察によって評価した。150℃以上での放置後、Ni/Agの界面にボイドが見られた。一方、SiC/Ti界面およびTi/Ni界面は250℃で500時間放置しても状態に変化が見られなかった。