[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-6] High temperature stability of multilayer metal films on 4H-SiC

〇Shinya Seki¹, Tetsuro Muramatsu¹, Tohru Sugahara¹, Shijo Nagao¹, Katsuaki Suganuma¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC,back metal,High temperature stability

4H-SiC上に積層したTi/Ni/Ag多層膜の高温での安定性をSEM観察によって評価した。150℃以上での放置後、Ni/Agの界面にボイドが見られた。一方、SiC/Ti界面およびTi/Ni界面は250℃で500時間放置しても状態に変化が見られなかった。