[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-6] 4H-SiC上金属多層膜界面の高温安定性

〇関 伸弥¹、村松 哲郎¹、菅原 徹¹、長尾 至成¹、菅沼 克昭¹ (1.阪大産研)

キーワード：SiC、裏面電極、高温安定性

4H-SiC上に積層したTi/Ni/Ag多層膜の高温での安定性をSEM観察によって評価した。150℃以上での放置後、Ni/Agの界面にボイドが見られた。一方、SiC/Ti界面およびTi/Ni界面は250℃で500時間放置しても状態に変化が見られなかった。