[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-7] SiC基板上のニッケルおよびチタン界面反応層の構造評価

〇小金澤 智之¹、安野 聡¹、石丸 哲^1,2 (1.高輝度光科学研究セ、2.SPring-8サービス)

キーワード：SiC、電極、シリサイド

熱処理を施したNi/SiCおよびTi/SiCの界面反応層を、2次元検出器を用いたXRD法およびHAXPES法で評価した。Ti/SiCでは400℃からTi₅Si₃とTiCの形成が始まり、いずれもエピタキシャル成長をする。Ti₅Si₃は面内に2つのドメインを形成することが明らかになった。