[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[21p-P11-1] プロトン照射と水素プラズマ処理による単結晶Siのドナー形成

〇清井 明¹、川上 剛史¹、湊 忠玄¹、多留谷 政良¹ (1.三菱電機)

キーワード：半導体、結晶欠陥

単結晶Siにプロトン照射を行うとドナー準位が形成されるが、その活性化率は低い。そこで活性化率を向上するため、プロトン照射と水素プラズマ処理の併用を検証した。高抵抗n型Siに上記の処理を行った後、広がり抵抗を測定した。その結果、水素プラズマ処理はウエハ表面のドナー形成に有効であることが分かった。講演会では、FZ-SiとMCZ-Siウエハの結果を比較しながら、水素プラズマ処理の効果について発表する。