[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[21p-P11-6] 4H-SiC中のショックレー型積層欠陥の起点構造解析

〇中村 勇¹、古庄 智明¹、山本 茂久¹ (1.三菱電機(株))

キーワード：4H-SiC、積層欠陥、転位