[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[21p-P11-7] 角度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

〇高橋 由美子¹、平野 馨一¹、志村 考功²、吉村 順一¹、長町 信治³ (1.KEK-PF、2.大阪大院工、3.(株)長町サイエンスラボ)

キーワード：トポグラフィー、ロッキングカーブ、炭化ケイ素

パワーデバイス用SiC結晶の歪分布を放射光斜入射X線トポグラフィー法で評価している。今回は試料下流にアナライザ結晶を配して角度フィルターとする角度分解トポグラフィーの結果を報告する。