[21p-P11-1~11] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [21p-P11-8] Evaluation of SiC crystal with laser annealing (2)

〇mizuki uchimori¹, Fulvio Mazzamuto², Tetsuya Nagai³, Katsuhiko Nakai³, Shuichi Ono⁴, Manabu Arai⁴, Hidekazu Yamamoto¹ (1.Chiba Institute of Technology, 2.SCREEN Semiconductor Solutions/LASSE2, 3.Nippon Steel & Sumikin Technology, 4.New Japan Radio Co., Ltd)

Keywords:SiC,laser annealing,TEM

パワーデバイスとして優位な物性値を有するSiCが期待されている。一方、SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。本研究では、SiCウエハへのレーザーアニール適用による結晶性への影響について透過型電子顕微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）を用いて評価した。