[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [21p-P11-8] レーザーアニールSiCの結晶性評価 (2)

〇内盛 瑞記¹、マッツァムト フルビオ²、永井 哲也³、中居 克彦³、小野 修一⁴、新井 学⁴、山本 秀和¹ (1.千葉工大工、2.SCREENセミコンダクターソルーションズ/LASSE、3.日鉄住金テクノロジー株式会社 富津事業所 解析ソリューション部、4.新日本無線(株))

キーワード：SiC、レーザーアニール、透過型電子顕微鏡

パワーデバイスとして優位な物性値を有するSiCが期待されている。一方、SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。本研究では、SiCウエハへのレーザーアニール適用による結晶性への影響について透過型電子顕微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）を用いて評価した。