1:30 PM - 3:30 PM
△ [21p-P11-9] Evaluation of GaN wafer for power devices by Raman spectroscopy (5)
Keywords:GaN,Raman spectroscopy
現在主流のパワーデバイス用半導体材料のSiは、すでにデバイス特性が物性限界に近いとされている。このSiの物性限界を超える半導体材料としてGaN on Siウエハが期待され、研究開発が進められている。本研究ではSi基板上に緩和層を形成し、AlGaN/GaN層を堆積させたGaN on Siウエハの結晶性をラマン散乱分光法により評価した。