1:30 PM - 3:30 PM
△ [21p-P11-8] Evaluation of SiC crystal with laser annealing (2)
Keywords:SiC,laser annealing,TEM
パワーデバイスとして優位な物性値を有するSiCが期待されている。一方、SiCパワーデバイスの製造プロセスの課題に1700℃以上の活性化高温熱処理がある。本研究では、SiCウエハへのレーザーアニール適用による結晶性への影響について透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)を用いて評価した。