[21p-P11-1~11] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [21p-P11-9] Evaluation of GaN wafer for power devices by Raman spectroscopy (5)

〇(M1)naoki ikeda¹, Hidekazu Yamamoto¹ (1.Chiba Institute of Technology)

Keywords:GaN,Raman spectroscopy

現在主流のパワーデバイス用半導体材料のSiは、すでにデバイス特性が物性限界に近いとされている。このSiの物性限界を超える半導体材料としてGaN on Siウエハが期待され、研究開発が進められている。本研究ではSi基板上に緩和層を形成し、AlGaN/GaN層を堆積させたGaN on Siウエハの結晶性をラマン散乱分光法により評価した。