2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月21日(月) 16:00 〜 18:00 P17 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[21p-P17-1] ガラス基板上に形成された自己整合四端子メタルダブルゲートCLC LT poly-Si TFTを用いたpHセンサの検討

大澤 弘樹1、中野 道広1、鈴木 仁志1、桑野 聡子1、原 明人1 (1.東北学院大工)

キーワード:薄膜トランジスタ、多結晶シリコン、pHセンサ

閾値制御が可能な自己整合四端子メタルダブルゲートCLC LT poly-Si TFTを用いたpHセンサの検討を行った。理論値に近い21.7 mV/pHのpH感度が得られ、TFTがpHセンサとして機能していることを確認した。