[21p-P5-1~2] 8.4 プラズマエッチング

[21p-P5-2] 中性粒子ビーム励起錯体反応を用いた遷移金属エッチングにおける吸着分子の影響

〇久保田 智広¹、菊地 良幸²、伊藤 寿³、久保 百司³、寒川 誠二^1,4 (1.東北大流体研、2.東京エレクトロン(株)、3.東北大金研、4.東北大WPI-AIMR)

キーワード：遷移金属錯体、磁気抵抗メモリ、エッチング加工

遷移金属（特に磁性材料）の異方性エッチングプロセスは、磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化のために極めて重要である。最近、谷・寒川らにより報告された、中性粒子ビームによる酸化錯体反応を用いることにより遷移金属や磁性体の異方性ダメージフリーエッチングについて、メカニズム解明を目的として第一原理計算を用いた検討を進めている。