[21p-P9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-P9-3] スパッタエピタキシー法を用いたGe基板上へのGeSiSn薄膜の形成

〇羽田 一暁¹、塚本 貴広¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、三村 高志²、松井 敏明²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構)

キーワード：スパッタエピタキシー、半導体、GeSiSn