[21p-P9-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-P9-4] フレキシブル基板上のめっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化

〇内田 恭敬¹、舩山 朋子¹、木暮 嘉明¹、葉 文昌² (1.帝京科学大、2.島根大総理工)

キーワード：ゲルマニウム、多結晶化、応力

Cuを用いてめっき法により堆積したGe膜に金属誘起結晶化法を適用した結果を報告した。今回、膜厚0.1mmのフレキシブル基板（三菱ガス化学社製、高耐熱性無色ポリイミドフィルム：ネオプリム）上へ堆積しためっきGe膜に金属誘起結晶化法を試み,Ge膜の応力測定を行ったのでその結果を報告する。