[21p-S011-1~20] 17.2 グラフェン

△ [21p-S011-4] h-BN/2層グラフェン/h-BNゲートスタック構造でのI_on/I_off向上

〇ウワンノー ティーラユット¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、長汐 晃輔^1,3 (1.東大、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

キーワード：グラフェン、h-BN

h-BN/BLG/h-BNデュアルゲートFETのI_on/I_offを評価し，0.3eVのギャップ形成に必要な外部電界の観点からh-BNの特徴を議論する．