[21p-S222-1~9] 金属酸化物薄膜の成膜装置

[21p-S222-6] 常圧非平衡プラズマを用いた新規な酸化物薄膜の化学気相成長プロセス

〇藤村 紀文¹、野瀬 幸則¹、木口 拓也¹、上原 剛²、吉村 武¹、芦田 淳¹ (1.大阪府立大　工、2.積水化学工業㈱　R&D)

キーワード：常圧非平衡プラズマ、ワイドバンドギャップ半導体、酸化物薄膜

誘電体バリア放電を用いた非平衡窒素プラズマ窒素プラズマを利用した新規な化学気相成長プロセスの実現を目指し、酸化物半導体薄膜の成長装置を試作した。本講演では、その薄膜形成過程におよぼす活性種の影響に関して検討した結果を報告する。また、ZnOやGa₂O₃薄膜の表面における反応機構を議論するとともに得られた薄膜の電子状態の評価を通して、残留電子濃度の低減や窒素ドーピングに向けた本プロセスの優位性を議論する。