[21p-S222-1~9] 金属酸化物薄膜の成膜装置

[21p-S222-8] 原子層堆積法で作製した金属酸化物薄膜の電子デバイスへの展開

〇生田目 俊秀¹ (1.物材機構)

キーワード：原子層堆積法、金属酸化物薄膜、電子デバイス

本講演では、ALD法で作製した金属酸化物薄膜を用いたDRAM、ReRAM及びチャージトラップ型Flashの特性について、ALD成膜条件が金属酸化物薄膜の電気特性（固定電荷等）へ及ぼす影響及びTMAによるTiO₂膜への酸素欠損生成を含めて紹介する。