[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-12] ネオンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化

〇羽渕 仁恵¹、北川 淳嗣¹、園原 康介¹、飯田 民夫¹、大橋 史隆²、伴 隆幸²、久米 徹二²、野々村 修一² (1.岐阜高専、2.岐阜大工)

キーワード：Siクラスレート

アモルファスSiと希ガスの混合物のアニールにより、希ガスをゲストとするSiクラスレートの合成が理論的には可能である。我々は、イオン打ち込み法により合成した希ガス混合Siのアニールを行っている。今までXeイオンを注入したSiをアニールすることでクラスレート化を狙ったが、成功していない。本発表では、Neイオンを注入したSiを用いてアニールを行なったのでその結果について報告する。