[21p-S323-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[21p-S323-2] B,P同時ドープSiナノ結晶におけるクーロンブロッケードの観察

〇東川 泰大¹、東 康男²、真島 豊²、加納 伸也¹、藤井 稔¹ (1.神大院工、2.東工大応セラ)

キーワード：Siナノ結晶、クーロンブロッケード

半導体量子ドットを単電子島とする単電子デバイスは、半導体量子ドットの離散化したエネルギー準位の間隔が大きいため、室温における安定動作が期待できる。我々は、極性溶媒中で単一に分散したB,P同時ドープSiナノ結晶の開発を行っている。本発表では、自己組織化を用いたボトムアップ手法により、このSiナノ結晶を単電子島とする単電子デバイスの作製を行い、その素子特性を評価したので報告する。