[21p-S611-1~8] 3.15 Silicon photonics

[21p-S611-2] Optimization of Doping Concentration of p-n Junction in Si Photonic Crystal Modulator

〇(B)Tomoki Tatebe¹, Yosuke Terada¹, Toshihiko Baba¹ (1.Yokohama Nat'l Univ.)

Keywords:modulator,photonic crystal,slow light

​我々はスローライト位相器をもつフォトニック結晶導波路 (PCW) 変調器を研究してきた．これまでに遮断周波数f_3dBと位相変化量Δφの両立が期待される鋸歯形p-n接合を提案した．今回は鋸歯形接合におけるドーピング濃度の最適化を検討した.ドーピング濃度を高くするとΔφは大きく，f_3dBは小さくなったが， RFΔφは0.26πまで向上した．一方で吸収損失は2.2 dBまで増加したが，Si細線とPCWの接続損失 およびPCWの散乱損失低減で補償できると考えている．