[21p-W241-1~21] 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術

▼ [21p-W241-3] An effect of gate voltage on thermally generated spin signals in Si spin-MOSFET

〇山下 尚人¹、安藤 裕一郎¹、小池 勇人²、佐々木 智之²、三輪 真嗣³、田中 和仁³、鈴木 義茂³、白石 誠司¹ (1.京大工、2.TDK、3.阪大基礎工)

キーワード：spin caloritronics,spin MOSFET