[21p-W521-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [21p-W521-6] ラミネーションコンタクト電極を用いたa-(BEDT-TTF)₂I₃微細結晶によるFETの作製

〇後藤 大河¹、多田 裕作²、酒井 正俊²、岡田 悠悟^2,3、山内 博¹、工藤 一浩² (1.千葉大工、2.千葉大院工、3.千葉大先進科学センター)

キーワード：有機半導体

近年、強相関有機電荷移動錯体を用いた相転移型FETが研究されている。この電荷移動錯体は数10~100 nmオーダーの厚さを持つ非常に微細な単結晶であることが望まれる。微細な強相関有機電荷移動錯体a-(BEDT-TTF)₂I₃を用いてFETを作製するため、ラミネーションコンタクト電極を用いる手法を開発した。本講演では、a-(BEDT-TTF)₂I₃の相転移温度135K近傍での4端子抵抗率の電界効果による変化等について報告する。