[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-10] カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの1,000 Vスイッチング特性

〇八木 修一¹、平田 祥子¹、神山 祐輔¹、中村 文彦¹、斉藤 武尊¹、河合 弘治¹ (1.パウデック)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いた1200V/40A級GaN FETをSi-MOSと組み合わせるカスコード接続でノーマリーオフ化し、1,000Vのスイッチング評価を行った。ドレイン電圧上昇時間（Tr）は28 ns、下降時間（Tf）は66 nsであった。サファイア基板上のGaN PSJ-FET は、カスコード接続を用いても高圧時に電流コラプスの影響が無いことが確認できた。