[21p-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[21p-W541-12] Electrical characteristics across GaAs/GaN heterojunctions on Si substrate

〇(M1)shoji yamajo¹, Sanji Yoon¹, Jianbo Liang¹, Noriyuki Watanabe², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:gallium nitride,gallium arsenide,surface activated bonding

表面活性化ボンディング(SAB)法は、基板同士を直接接合する方法であり、異種材料間での接合が可能な接合方法である。GaAs は高い電子移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。以前我々は、GaAs/n-GaN on Sapphire 接合の作製とその電気特性の評価を行った。今回、我々はより高耐圧化や低ON 抵抗化に適した縦型構造の電気特性を調べるためGaAs/i-GaN on Si 接合を作製し、縦方向の電気特性の評価を行った。