16:45 〜 17:00 [21p-W541-12] Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価 〇(M1)山條 翔二1、尹 翔至1、梁 剣波1、渡邉 則之2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.NTT 先端集積デバイス研)