[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-12] Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価

〇(M1)山條 翔二¹、尹 翔至¹、梁 剣波¹、渡邉 則之²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.NTT 先端集積デバイス研)

キーワード：窒化ガリウム、ガリウムヒ素、表面活性化接合

表面活性化ボンディング(SAB)法は、基板同士を直接接合する方法であり、異種材料間での接合が可能な接合方法である。GaAs は高い電子移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。以前我々は、GaAs/n-GaN on Sapphire 接合の作製とその電気特性の評価を行った。今回、我々はより高耐圧化や低ON 抵抗化に適した縦型構造の電気特性を調べるためGaAs/i-GaN on Si 接合を作製し、縦方向の電気特性の評価を行った。