[21p-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [21p-W541-3] SiO₂/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇(B)Kenta Watanabe¹, Ryohei Asahara¹, Joyo Ito¹, Mikito Nozaki¹, Takahiro Yamada¹, Satoshi Nakazawa², Yoshiharu Anda², Masahiro Ishida², Tetsuzo Ueda², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic)

Keywords:Gallium nitride,Power device

GaNは絶縁破壊電界などSiC以上の優れた物性値を有するため、パワーデバイスへの応用が期待されている。スイッチング素子であるトランジスタの高性能化・ノーマリオフ化には高品質なゲート絶縁膜が必要であり、バンドギャップが比較的広いAl₂O₃膜を用いたGaNデバイスが研究されている。前回我々はAl₂O₃に窒素を添加したAlON膜がAl₂O₃膜よりも電子注入耐性及び界面特性に優れることを報告した。本研究では、良好な界面特性を維持しつつ絶縁性の向上を図るため、AlON界面層上にバンドギャップの広いSiO₂膜を積層したSiO₂/AlON/AlGaN/GaN構造を検討した。