[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21p-W541-3] AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるSiO₂/AlON積層ゲート絶縁膜の検討

〇(B)渡邉 健太¹、淺原 亮平¹、伊藤 丈予¹、野崎 幹人¹、山田 高寛¹、中澤 敏志²、按田 義治²、石田 昌宏²、上田 哲三²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス

GaNは絶縁破壊電界などSiC以上の優れた物性値を有するため、パワーデバイスへの応用が期待されている。スイッチング素子であるトランジスタの高性能化・ノーマリオフ化には高品質なゲート絶縁膜が必要であり、バンドギャップが比較的広いAl₂O₃膜を用いたGaNデバイスが研究されている。前回我々はAl₂O₃に窒素を添加したAlON膜がAl₂O₃膜よりも電子注入耐性及び界面特性に優れることを報告した。本研究では、良好な界面特性を維持しつつ絶縁性の向上を図るため、AlON界面層上にバンドギャップの広いSiO₂膜を積層したSiO₂/AlON/AlGaN/GaN構造を検討した。