[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-6] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性

〇山岡 優哉^1,2、伊藤 和宏²、生方 映徳¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、江川 孝志² (1.大陽日酸、2.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、Si基板、リーク電流

Si基板上AlGaN/GaN HEMTは低価格な次世代パワーデバイスとして注目されている。横型デバイスにおいて縦方向のリーク電流があると、十分な特性を得ることができない。そこで基板/エピ層界面の状態とデバイス縦方向リーク電流の関係を調査している^[1]。本報告は、初期AlN層上に積層するAlGaN緩衝層のAl組成とリーク電流の相関について報告する。
[1]伊藤他：第76回応用物理学会秋季学術講演会 16a-4C-10