[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-9] 銅板平坦化によるAlGaN/GaN 転写HEMTの放熱性の改善

〇廣木 正伸¹、熊倉 一英¹、山本 秀樹¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlGaN/GaN、HEMT、epitaxial lift-off

我々はh-BNを用いたエピタキシャルリフトオフ技術を用いて、AlGaN/GaN HEMTを銅板に転写し、放熱性が向上することを確認している。今回、銅板を平坦化することによって、さらに熱抵抗が約25%低減した。これは、熱圧着での密着性が向上したためと考えられる。