[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-W641-6] Ba_1-xCa_xTiO₃/ZnOヘテロ接合の作製とバンド配置の解析

〇後田 敦史¹、山田 裕明¹、小前 智也¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：強誘電体/半導体ヘテロ接合、X線光電子分光(XPS)、酸化亜鉛(ZnO)

我々は強誘電体／極性半導体ヘテロ界面における分極間相互作用に着目して研究を行っている。本研究では界面欠陥低減に向け強誘電体Ba_1-xCa_xTiO₃ (BCT)と極性半導体ZnOを用いて、(111)[110]BCT||(0001)[100]ZnOのエピタキシャル関係で格子整合成長を期待し、ヘテロ界面の作製を行った。今回は極性の異なるZnO上へのBCT薄膜の作製と、それらのヘテロ構造のバンド配置の解析を行った。