2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2016年3月21日(月) 13:45 〜 19:00 W641 (西6号館)

藤沢 浩訓(兵庫県立大)、吉村 武(大阪府立大)、安井 伸太郎(東工大)

16:00 〜 16:15

[21p-W641-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転

陳 舟1、平永 良臣1、清水 荘雄2、片山 きりは2、三村 和仙2、舟窪 浩2、長 康雄1 (1.東北大通研、2.東工大)

キーワード:強誘電体、走査型非線形誘電率顕微鏡、酸化ハフニウム薄膜

今、酸化ハフニウム薄膜の強誘電性が世界中から注目されている。本研究では、走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を使って、Y:HfO2薄膜を観察し、ドメイン反転実験を行った。また、Y:HfO2薄膜表面にナノスケールのドットを書き込み、Y:HfO2薄膜を強誘電体記録媒体として使う可能性を検討した。