[22a-H116-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

[22a-H116-1] Effect of the chemical cleaning of sapphire substrates on the domain structure of ZnTe thin films

〇Taizo Nakasu¹, Takeru Kizu¹, Shota Hattori¹, Yuki Hashimoto¹, Wei-Che Sun¹, Fukino Kazami¹, Jing Wang¹, Keisuke Odaka¹, Haruna Tamagawa¹, Yosuke Yamamoto¹, Masakazu Kobayashi^1,2, Toshiaki Asahi³ (1.Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci., 2.Waseda Univ. Lab. for Mat. Sci. & Tech., 3.JX Nippon Mining & Metals Corp.)

Keywords:Zinc telluride,Sapphire,Pole figure

ZnTeを用いたテラヘルツ波検出素子応用に向け、サファイア基板/ZnTe薄膜構造に注目している。成長前の基板洗浄の過程に注目し、表面の化学状態を変化させたサファイア基板を用いることでサファイア基板上ZnTe薄膜の結晶性の改善を試みた。結晶性評価には極点図やロッキングカーブ測定を使いZnTeの方位や結晶性を詳細に評価した。ZnTe 111極点図測定により表面の化学状態の制御でサファイア/ZnTeに影響を与えている可能性が明らかになった。