[22a-H116-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

△ [22a-H116-2] The growth process analysis of ZnTe on m-plane sapphire with nano-facet structure

〇Taizo Nakasu¹, Shota Hattori¹, Takeru Kizu¹, Yuki Hashimoto¹, Wei-Che Sun¹, Fukino Kazami¹, Jing Wang¹, Yosuke Yamamoto¹, Haruna Tamagawa¹, Keisuke Odaka¹, Masakazu Kobayashi^1,2, Toshiaki Asahi³ (1.Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci., 2.Waseda Univ. Lab. for Mat. Sci. & Tech., 3.JX Nippon Mining & Metals Corp.)

Keywords:Zinc Telluride,Sapphire,Nano-facet

ZnTeを用いたテラヘルツ波検出素子応用に向け、サファイア基板/ZnTe薄膜構造に注目している。m面を熱処理することで現れるr面{1-102}とS面{10-11}からなるナノファセット基板上にZnTe薄膜を作製し、その成長過程の解析を行った。更にX線回折の極点図法を使い、ナノファセットの方位とZnTeの成長方位の関連性を詳細に評価した結果、ナノファセットのS面がm面ナノファセット基板上のZnTe薄膜の結晶方位に影響を与えていることが明らかになった。