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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月22日(火) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

赤坂哲也(NTT)、斎藤義樹(豊田合成)

09:00 〜 09:15

[22a-H121-2] AlGaN系ヘテロ構造における格子不整転位の導入箇所制御

〇(DC)市川修平¹、熊本恭介¹、船戸充¹、川上養一¹ (1.京大院工)

キーワード：AlGaN、格子緩和、ミスフィット転位

　　　