[22a-H121-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [22a-H121-3] Analyze of AlGaN/GaN heterostructure by MOVPE using in situ technology

〇junya ohsumi¹, Ryosuke Kanayama¹, Toru Takanishi¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac. Sci. & Technol., Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ.)

Keywords:MOVPE,in situ technology,AlGaN

AlGaN/GaNヘテロ接合は、半導体レーザ・HFETなど窒化物半導体系材料に関して多くのデバイスで応用されている。これまで、TEMやX線回折マッピング測定などex situ測定法やレーザ光を用いた反りモニターなどのin situ測定法による緩和過程の解析が行われている。例えば、反りモニターを用いたin situ測定法を用いた方法ではクラック導入の臨界膜厚が正確に測定することが報告されている。本研究では、その場観察X線回折法と反りモニターを比較した。