[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22a-H121-3] その場観察技術を用いたMOVPE法で作製するAlGaN/GaNヘテロ構造の観察

〇大角 純也¹、金山 亮介¹、髙西 徹¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：有機金属気相成長法、その場観察技術、窒化アルミニウムガリウム

AlGaN/GaNヘテロ接合は、半導体レーザ・HFETなど窒化物半導体系材料に関して多くのデバイスで応用されている。これまで、TEMやX線回折マッピング測定などex situ測定法やレーザ光を用いた反りモニターなどのin situ測定法による緩和過程の解析が行われている。例えば、反りモニターを用いたin situ測定法を用いた方法ではクラック導入の臨界膜厚が正確に測定することが報告されている。本研究では、その場観察X線回折法と反りモニターを比較した。