2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月22日(火) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

赤坂 哲也(NTT)、斎藤 義樹(豊田合成)

09:30 〜 09:45

[22a-H121-4] AlN成長のための空気中アニールによるc面サファイアの原子ステップ形成

玉置 真哉1、鈴木 周平1、三宅 秀人1,2、平松 和政1 (1.三重大・院工、2.三重大・地域イノベ)

キーワード:窒化アルミニウム、サファイア基板