[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-19] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成

〇(M1)喜田 弘文¹、伊藤 圭亮¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：光触媒、酸化ニッケル、窒化ガリウム

窒化ガリウム(GaN)は広い禁制帯幅を持ち、光触媒材料として魅力的な特徴を有するが、陽極として用いると電極自体が腐食してしまう問題がある。これを回避する有望な手法として、助触媒である酸化ニッケル(NiO)を担持する取り組みがなされている。本研究では、金属有機化合物分解法(MOD法)を用いたGaN表面へのNiO微粒子の形成に取り組んだ。