[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-9] 酸素欠陥を持つPt/TiO_2-d/Ptスパッタ薄膜の低温成膜と構造・電気特性

高柳 真¹、川村 欣也¹、土屋 敬志¹、寺部 一弥²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.物材機構)

キーワード：酸化物半導体TiO2-d、酸化還元、メモリー素子

本研究では、酸素ラジカルを反応性ガスに用いたスパッタ法により、酸素欠陥と結晶格子を制御したTiO_2-d薄膜を作製し、構造・電気特性の観点から、Pt/TiO_2-d/Pt構造膜のメモリー素子の応用の可能性について評価した。