[22a-P6-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-P6-11] Effect of well layer thickness on the external quantum effisiency of MOCVD-grown InGaN/GaN MQW sollar cells

〇Tatsuya Tsutsumi¹, Tomoki Kabata¹, Takuma Mori¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:Photovoltaics,a group III nitride semiconductor

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。ここで、光吸収層であるInGaN結晶をMOCVD成長によって膜厚化するとき結晶品質が悪くなるという問題点がある。解決策として、多層膜(MQW)型太陽電池が提案され活発に研究が行われている。本研究ではInGaN/GaN多層膜太陽電池のwell層の膜厚の変換効率への影響を調査したので報告する。