2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月22日(火) 09:30 〜 11:30 P6 (屋内運動場)

09:30 〜 11:30

[22a-P6-11] MOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量子効率のwell厚依存性

堤 達哉1、加畑 智基1、森 拓磨1、三好 実人1、江川 孝志1 (1.名工大)

キーワード:太陽電池、Ⅲ族窒化物半導体

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。ここで、光吸収層であるInGaN結晶をMOCVD成長によって膜厚化するとき結晶品質が悪くなるという問題点がある。解決策として、多層膜(MQW)型太陽電池が提案され活発に研究が行われている。本研究ではInGaN/GaN多層膜太陽電池のwell層の膜厚の変換効率への影響を調査したので報告する。